Draqon
Aktif Üye
Grubun çip üretim bölümü olan Samsung Foundry, 2025'ten itibaren ilk nominal 2 nanometre prosesiyle kendi seri üretimine başlamayı planlıyor. Ancak SF2 olarak adlandırılan süreçte ne kadar 2 nm'nin yer aldığı henüz bilinmiyor.
Reklamcılık
Bir Samsung sözcüsü Anandtech'e bunun yeniden adlandırılan bir üretim teknolojisi olduğunu söyledi. SF2 daha önce SF3P, yani SF3'ün geliştirilmiş bir versiyonu olarak biliniyordu. İyileştirmeler buna göre yönetilebilir: Haziran 2023'te SF2 duyurulduğunda Samsung, daha hızlı transistör devreleri sayesinde performansın yüzde 12 daha yüksek olacağını belirtmişti. Alternatif olarak aynı performansla elektrik tüketimi yüzde 25 oranında azaltılabilir. Transistör yoğunluğu yalnızca yüzde birkaç artacaktır.
SF3 ve SF2 arasındaki karşılaştırma da hatalı çünkü Samsung'un 3 nm üretim teknolojisine sahip bilinen bir çip henüz bulunmuyor. Sözleşmeli çip üreticisi, 2022 yazının başlarında geçit transistörleri olarak adlandırılan seri üretimi duyurdu, ancak pek de yüksek bir talep yok gibi görünüyor. Samsung'un üretim süreçleri, aynı isme rağmen TSMC'ninkinden daha düşük kabul ediliyor.
Samsung Foundry çok sayıda SF2 sürecini başlatmayı planlıyor. SF2Z güç kaynağına yeni teknoloji getiriyor.
(Resim: Samsung Dökümhanesi)
Alt güç kaynağı da Samsung Foundry'den
Samsung Foundry, 2027 yılına kadar yüksek performanslı işlemciler, hızlandırıcılar ve otomotiv çipleri gibi dört SF2 çeşidini daha piyasaya sürmeyi planlıyor. Çip üreticisinin 2027 yılında SF2Z ile büyük bir yenilik sunması bekleniyor: Arka Taraf Güç Dağıtımı, yani silikon çipteki transistörlerin alt taraftaki güç kaynağı.
Samsung, benzer teknolojiyi zaten duyurmuş olan rakipleri Intel Foundry ve TSMC'nin izinden gidiyor. Intel, tüm bunları güç yolları olarak adlandırıyor ve bunları bu yıl 20A süreciyle tanıtmayı planlıyor. TSMC'nin bunları 2026'da A16 ile Super Power Rail olarak piyasaya sürmesi bekleniyor.
Şimdiye kadar güç kaynağı çiplerin üzerindeki metal katmanlar aracılığıyla sağlanıyordu. Burası aynı zamanda transistörlerin sinyallerini bağlayan metal katmanların da bulunduğu yerdir. Transistörlerin sayısı ve boyutları arttıkça sinyal ve akım yolları birbirine giderek daha fazla müdahale etmektedir. Bu nedenle arka taraftaki güç kaynağı ara bağlantı için daha fazla alan yaratır.
Samsung ayrıca 2027'de SF1.4 teknolojisine sahip, ancak görünüşe göre arka taraftan güç dağıtımı olmayan yarı iletkenler üretmeyi planlıyor. Müşterilerin daha sonra daha iyi transistörler mi yoksa arka taraftaki güç kaynağının avantajlarını mı istediklerine karar vermeleri gerekecek.
(mma)
Haberin Sonu
Reklamcılık
Bir Samsung sözcüsü Anandtech'e bunun yeniden adlandırılan bir üretim teknolojisi olduğunu söyledi. SF2 daha önce SF3P, yani SF3'ün geliştirilmiş bir versiyonu olarak biliniyordu. İyileştirmeler buna göre yönetilebilir: Haziran 2023'te SF2 duyurulduğunda Samsung, daha hızlı transistör devreleri sayesinde performansın yüzde 12 daha yüksek olacağını belirtmişti. Alternatif olarak aynı performansla elektrik tüketimi yüzde 25 oranında azaltılabilir. Transistör yoğunluğu yalnızca yüzde birkaç artacaktır.
SF3 ve SF2 arasındaki karşılaştırma da hatalı çünkü Samsung'un 3 nm üretim teknolojisine sahip bilinen bir çip henüz bulunmuyor. Sözleşmeli çip üreticisi, 2022 yazının başlarında geçit transistörleri olarak adlandırılan seri üretimi duyurdu, ancak pek de yüksek bir talep yok gibi görünüyor. Samsung'un üretim süreçleri, aynı isme rağmen TSMC'ninkinden daha düşük kabul ediliyor.
Samsung Foundry çok sayıda SF2 sürecini başlatmayı planlıyor. SF2Z güç kaynağına yeni teknoloji getiriyor.
(Resim: Samsung Dökümhanesi)
Alt güç kaynağı da Samsung Foundry'den
Samsung Foundry, 2027 yılına kadar yüksek performanslı işlemciler, hızlandırıcılar ve otomotiv çipleri gibi dört SF2 çeşidini daha piyasaya sürmeyi planlıyor. Çip üreticisinin 2027 yılında SF2Z ile büyük bir yenilik sunması bekleniyor: Arka Taraf Güç Dağıtımı, yani silikon çipteki transistörlerin alt taraftaki güç kaynağı.
Samsung, benzer teknolojiyi zaten duyurmuş olan rakipleri Intel Foundry ve TSMC'nin izinden gidiyor. Intel, tüm bunları güç yolları olarak adlandırıyor ve bunları bu yıl 20A süreciyle tanıtmayı planlıyor. TSMC'nin bunları 2026'da A16 ile Super Power Rail olarak piyasaya sürmesi bekleniyor.
Şimdiye kadar güç kaynağı çiplerin üzerindeki metal katmanlar aracılığıyla sağlanıyordu. Burası aynı zamanda transistörlerin sinyallerini bağlayan metal katmanların da bulunduğu yerdir. Transistörlerin sayısı ve boyutları arttıkça sinyal ve akım yolları birbirine giderek daha fazla müdahale etmektedir. Bu nedenle arka taraftaki güç kaynağı ara bağlantı için daha fazla alan yaratır.
Samsung ayrıca 2027'de SF1.4 teknolojisine sahip, ancak görünüşe göre arka taraftan güç dağıtımı olmayan yarı iletkenler üretmeyi planlıyor. Müşterilerin daha sonra daha iyi transistörler mi yoksa arka taraftaki güç kaynağının avantajlarını mı istediklerine karar vermeleri gerekecek.
(mma)
Haberin Sonu